近日，派恩杰半导体的1700V/1Ω SiC MOSFET产品成功通过国内知名新能源汽车企业的主驱逆变器辅助电源项目测试，并已成功应用，这标志着派恩杰半导体成为了首家进入主驱逆变器系统的国产碳化硅芯片供应商。派恩杰1700V系列器件针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压、极低的栅极电荷和较小的导通电阻Rds(on)，使其广泛适用于工业电机驱动、光伏、直流充电桩、储能变换器以及UPS等三相功率变换系统中的辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计、降低散热成本，大幅度减少辅助开

近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。 相关研究成果于2024年1月发表于IEEE Electron Device Letters期刊。X. Li et al., “1700 V High-Performance GaN HEMTs on 6-inc

前段时间，致能科技发布了1200V氮化镓器件（.点这里.），近日，他们又有新的突破。 据了解，致能科技通过与国内科研机构的研发合作，成功制造出1700V GaN HEMT器件，主要包含几个亮点： 阻断电压超过3000V； 采用1.5μm薄层缓冲层，成本更低； 采用6英寸蓝宝石衬底； 器件低导通电阻为17Ω·mm 根据2024年1月发表在《IEEE Electron Device Letters》期刊的最新文献1，致能科技团队是与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进

近日，深圳爱仕特科技有限公司 (以下简称“爱仕特”) 参报的《1700V碳化硅功率模块》项目获深圳企业创新纪录，上榜深圳工业总会公布第二十二届“深圳企业创新纪录”名单。 据悉，爱仕特于2022年研发的“1700V碳化硅功率模块”是我国市场上国内量产的首款高性能碳化硅功率模块，突破了从实验室到产业化的技术限制，填补了国内相关半导体分立器件制造的部分空白，已经实现产业化，相关产品被广泛应用于高速铁路、城市轨道交通、高压输电网及新能源储能产业中；且产品已通过欧洲航空行业相关认证，并进入了欧洲航空制造