常见的防雷器件有哪些？
2024-09-10防雷器件属于电路保护器件，其目的是为了保护过压、过流、浪涌等情况发生的时候损坏，下面中国电子网为大家带来一些防雷器件。 1.陶瓷气体放电管: 防雷器件中应用最广泛的是陶瓷燃气放电管，因此陶瓷燃气放电管是应用最广泛的防雷器件，无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷，陶瓷燃气放电管都能起到很好的防护作用。 其最大的特点是通流量大，级间电容量小，绝缘电阻高，破坏电压的可选范围大。 2.半导体放电管: 半导体放电管是一种过压保护设备，是利用晶闸管的原理制作的，通过PN结的破坏电流触发设备引导放电，可以
常见的过压器件有哪些？
2024-09-10过压器件属于电路保护器件，其目的是为了保护过压、过流、浪涌等情况发生的时候损坏，下面中国电子网为大家带来一些过压器件。 1.压敏电阻 压敏电阻也是最常用的限压设备。利用敏感电阻的非线性特性，当过电压出现在敏感电阻的两极之间时，敏感电阻可以将电压钳位于相对固定的电压值，实现后级电路的保护。 压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管慢一点，一般用于电子电路的过电压保护其响应速度可满足要求。压敏电阻的结电容量一般在数百到数千pF的数量范围内，往往不应直接应用于高频信号线的保护，应用于交
常见的静电器件有哪些？
2024-09-10静电器件属于电路保护器件，其目的是为了保护过压、过流、浪涌等情况发生的时候损坏，下面中国电子网为大家带来一些静电器件。 1、ESD静电放电二极管: ESD静电放电二极管是一种过压、防静电保护元件，是一种为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的元器件。ESD静电二极管是为了避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。 可提供非常低的电容器，具有优异的传输线脉冲(TLP)测试和IEC6100-4-2测试能力，特别是多样数达到1000后，改善了对敏感电子部件的保护。 2、电感的作用: 电磁
电源接口的浪涌保护器件
2024-09-06任何一个电源或通信接口都是一个电气瞬变的潜在入口，并且在该设备使用期内也很容易受到破坏。因此，需要注意电源（电池组、直流输入、交流输入）、微处理器、话筒/扩音器线路、通信接口（有线和无线）、传感器、LCD显示器、小键盘和按键。 对于高端的设备，由于其更为复杂且面对更多的电气威胁，因而需要额外的保护器件，交流电压和高压直流电源等电路需要能够应对比便携式设备高出很多能量的浪涌保护方案。下面电子元器件采购网来说一说。 气体放电管通常用于保护电信线路，不收浪涌电压的影响。该器件可以承受高达40000安
MOS器件作为电容来使用，电容的值应该由什么决定
2024-09-01电容在电路设计中是一个基本又必不可少的部分，除了作为旁路，滤波，去耦或隔直等作用，在一些电路中也可以作为运算电路单元，完成信号的存储和传递。在集成电路设计中，电容的实现方式主要有MIM、PN结电容、Metal寄生电容和MOS电容等。 我们都知道零点和极点的相互作用对于一个系统的稳定性非常重要。对于一个amplifier来说，它俩直接决定了amplifier的UGF和PM等参数，如何进行补偿就非常考验模拟IC工程师的能力了。其中一个方法就是为系统引入一个特定频率的零点，从而去消除掉该频率点的一个
IC类器件的元件模型是如何创建？
2024-08-29IC类器件的元件模型如何创建？ 答：IC类的器件与我们之前讲的简单的电容电阻器件不同，下面我们买卖ic网以TPS54531这个电源IC为例讲解IC器件封装创建的方法，查找TPS54531的Datasheet，它的封装信息如图2-24所示： 图2-24Datasheet示意图 1）在创建好的库文件点击菜单栏“工具-新器件”创建一个新器件，并且命名为“TPS54531”如图2-25所示： 图2-25创建器件示意图 2）快捷键PR，放置一个矩形框，然后快捷键PP放置一个PIN管脚，“shift+拖动
特殊器件PCB布局的一些要求
2024-08-26PCB器件布局不是一件随心所欲的事，它有一定的规则需要大家遵守。除了通用要求外，一些特殊的器件也会有不同的布局要求。 压接器件的布局要求1）弯/公、弯/母压接器件面的周围3mm不得有高于3mm的元器件，周围1.5mm不得有任何焊接器件；在压接器件的反面距离压接器件的插针孔中心2.5mm范围内不得有任何元器件。2）直/公、直/母压接器件周围1mm不得有任何元器件；对直/公、直/母压接器件其背面需安装护套时，距离护套边缘1mm范围内不得布置任何元器件，不安装护套时距离压接孔2.5mm范围内不得布置
SiC功率器件篇之SiC SBD
2024-08-251. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。 2. SiC-SBD的正向特性 SiC-
SiC功率器件全因这一点而深受热捧
2024-08-24功率器材职业发展到IGBT(绝缘层栅双极晶体三极管)阶段，硅基器材的功能早已贴近极限，边际效益愈来愈高，而半导体材料器材工业链仍对大功率、高频率转化、高温实际操作、高功率等具有愈来愈多的要求，因而以SiC(碳碳复合材料)、GaN(氮化镓)等第三代半导体器材为要害的宽禁带功率器材变成了科学研究网络热点与新发展前景，并逐渐进到运用批量出产环节。 SiC功率器材功能长处 SiC功率半导体的发展趋势改善了输出功率电源开关器材的硬电源开关特色，抗压能够到达数十万伏，耐高温能够到达500℃之上。 功能长处
常用的分立器件搭电平转换电路工作原理
2024-08-19常用的分立器件搭的电平转换电路，电子元器件平台具体工作过程如下： 1、当Net1输出高电平时，MOS管Q1的Vgs=0，MOS管关闭，Net2被电阻R2上拉到5V； 2、当Net1输出低电平时，MOS管Q1的Vgs=3.3V，大于导通电压阈值，MOS管导通，Net2通过MOS管被拉低到低电平； 3、当Net2输出高电平时，MOS管Q1的Vgs不变，MOS管维持关闭状态，Net1被电阻R1上拉到3.3V； 4、当Net2输出低电平时，MOS管Q1不导通，MOS管先经过体二极管把Net1拉低到低电